和平精英腾讯游戏下载: 【技術分享】電源芯片的內部結構是怎樣的?

2019-06-06 17:50:48 來源:中國網
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自然經常與各種芯片打交道,可能有的工程師對芯片的內部并不是很了解,不少同學在應用新的芯片時直接翻到Datasheet的應用頁面,按照推薦設計搭建外圍完事。如此一來即使應用沒有問題,卻也忽略了更多的技術細節,對于自身的技術成長并沒有積累到更好的經驗。今天以一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675為例,盡量詳細講解下一顆芯片的內部設計原理和結構,IC行業的同學隨便看看就好,歡迎指教!
 
LM2675-5.0的典型應用電路
 
 
打開LM2675的DataSheet,首先看看框圖
 
 
這個圖包含了電源芯片的內部全部單元???,BUCK結構我們已經很理解了,這個芯片的主要功能是實現對MOS管的驅動,并通過FB腳檢測輸出狀態來形成環路控制PWM驅動功率MOS管,實現穩壓或者恒流輸出。這是一個非同步模式電源,即續流器件為外部二極管,而不是內部MOS管。
 
下面咱們一起來分析各個功能是怎么實現的
一、基準電壓
類似于板級電路設計的基準電源,芯片內部基準電壓為芯片其他電路提供穩定的參考電壓。這個基準電壓要求高精度、穩定性好、溫漂小。芯片內部的參考電壓又被稱為帶隙基準電壓,因為這個電壓值和硅的帶隙電壓相近,因此被稱為帶隙基準。這個值為1.2V左右,如下圖的一種結構:
 
 
這里要回到課本講公式,PN結的電流和電壓公式:
 
 
可以看出是指數關系,Is是反向飽和漏電流(即PN結因為少子漂移造成的漏電流)。這個電流和PN結的面積成正比!即Is->S。
 
如此就可以推導出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !
 
回到上圖,由運放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,這樣可得:I1=△Vbe/R1,而且因為M3和M4的柵極電壓相同,因此電流I1=I2,所以推導出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結面積之比!
 
回到上圖,由運放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,這樣可得:I1=△Vbe/R1,而且因為M3和M4的柵極電壓相同,因此電流I1=I2,所以推導出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結面積之比!
 
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